摩根士丹利（大摩）近日發布最新研究報告，針對市場對其降評DDR4的質疑提出回應，並重申對主流記憶體的樂觀看法。報告特別指出，傳統NAND記憶體因其獨特的供需動能，將成為記憶體市場的新贏家，並將臺灣記憶體大廠旺宏電子列為首選投資標的，預示記憶體產業正迎來結構性轉變。
摩根士丹利重申主流記憶體展望：AI需求驅動成長
儘管摩根士丹利對DDR4市場持保守態度，但其對主流記憶體市場的建設性看法依然堅定。這波降評僅針對傳統記憶體市場，並不影響其對整體主流記憶體前景的樂觀判斷。隨著人工智慧（AI）運算的瓶頸逐漸轉向更複雜的多層記憶體系統，主流動態隨機存取記憶體（DRAM）將持續從中受惠。
摩根士丹利分析師強調，代理型AI（Agentic AI）的工作執行需要更密集的數據處理能力，這將進一步收緊主流DRAM的供應。只要全球AI相關支出能維持在高檔，記憶體仍是限制AI發展的關鍵因素之一，因此主流記憶體市場的強勢格局預期將保持不變。
摩根士丹利分析師指出：「代理型 AI 工作執行需要更密集的數據處理，使主流 DRAM 供應進一步收緊。只要 AI 支出維持高檔，記憶體仍是限制 AI 發展最大關鍵因素之一，主流記憶體強勢的格局將保持不變。」
DDR4市場轉趨保守：供需失衡與價格反噬
針對DDR4市場的降評，摩根士丹利從供給與需求兩方面提出了詳細解釋。在供給端，由於近期DDR4價格顯著高漲，吸引了供應商擴大產能或延後產品停產計畫，例如華邦電、南亞科、三星與長鑫存儲等主要廠商均計劃在2026年至2027年間大幅提升DDR4產能。然而，DDR4市場規模相對較小，主流DRAM所面臨的缺貨瓶頸在此並不適用。
從需求面來看，截至2026年2月，DDR4 8Gb的合約價年增率已高達752%。摩根士丹利分析指出，過高的價格已開始反噬智慧型手機與個人電腦等消費性終端產品的需求，且部分小型客戶已開始抗拒漲價。此外，DDR4缺乏直接的AI應用關聯性，使其無法受惠於AI所帶動的記憶體消耗浪潮。摩根士丹利預期，儘管DDR4合約價短期內仍可能上漲，但其年增率將在2026年下半年開始放緩，這被視為市場轉趨保守的關鍵訊號。
- 供給過剩風險：DDR4價格高漲刺激供應商擴產，預計2026至2027年產能將大幅提升。
- 需求疲軟：過高價格導致智慧型手機與PC等消費性需求受抑，小型客戶抵制漲價。
- 缺乏AI關聯：DDR4無法直接受惠於AI帶動的記憶體需求增長。
傳統NAND逆勢崛起：結構性供應短缺與旺宏機遇
與DDR4面臨的困境截然不同，摩根士丹利極度看好傳統NAND市場的發展潛力，認為其正經歷獨特的結構性供應短缺。由於全球主要供應商持續實施減產策略，摩根士丹利預估多層單元NAND（MLC NAND）在2026年下半年將面臨嚴重的缺貨，供不應求的幅度可能高達約40%。同時，受惠於工業與企業應用對價格敏感度較低，其需求依然保持穩健。
摩根士丹利進一步預測，MLC NAND及傳統三層單元NAND（TLC）的價格將從2026年第一季到第四季飆升超過200%。在此市場背景下，摩根士丹利順勢將臺灣記憶體廠旺宏電子列為首選標的，看好其能精準掌握MLC NAND市場的龐大商機。
臺灣記憶體產業鏈的動態調整與潛在利多
在記憶體市場的動態變革中，臺灣相關廠商也面臨著不同的機遇與挑戰。除了旺宏電子被摩根士丹利點名為首選外，其他臺灣記憶體業者亦有其潛在利多。例如，南亞科技有望受惠於主要記憶體大廠逐步退出DDR4市場所帶來的供應端上升週期，這可能為其帶來新的市場空間。
此外，力積電則有望受惠於與美光的長期合作關係，以及在先進DRAM生產機會上的佈局，這被視為其長期發展的有利因素。這些動態調整顯示，臺灣記憶體產業鏈在全球市場變局中，正積極尋求新的成長動能與策略定位。
展望與影響
整體而言，摩根士丹利的最新報告描繪了記憶體市場的雙重變革：一方面，主流DRAM在AI需求的強勁驅動下持續保持成長態勢；另一方面，傳統NAND則因其獨特的結構性供需失衡，有望在市場中大放異彩。這預示著記憶體產業將迎來一波重要的結構性調整，對於相關供應鏈的廠商而言，精準掌握市場脈動與策略佈局將是未來成功的關鍵。
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