一句話總結：台達電與英飛凌深化合作，瞄準 800V 高壓直流（HVDC）及固態變壓器（SST）市場，共同研發下一代 AI 資料中心電力基礎設施。
核心要點
- 台達電與英飛凌合作範圍擴大至碳化矽（SiC）功率元件，引發市場關注。
- 碳化矽具備耐高壓、高效率及低損耗等特性，是 800V HVDC 及 SST 的核心技術。
- 英飛凌在功率半導體領域具備完整產品線，已成為全球 AI 電源供應鏈的重要廠商。
- 雙方去年宣布共同開發 AI 資料中心高功率密度垂直供電（VPD）模組。
- 台達總裁張訓海表示，SST 預計最晚於 2027 年迎來市場爆發。
台達電與英飛凌的合作消息，再次凸顯了兩家公司在 AI 資料中心電力基礎設施領域的雄心壯志。碳化矽（SiC）作為新一代功率元件，其耐高壓、高效率及低損耗等特性，使其成為 800V 高壓直流（HVDC）及固態變壓器（SST）的核心技術。這兩種技術對於支撐未來 MW 等級的 AI 資料中心至關重要。
英飛凌作為全球主要功率半導體供應商之一，產品線涵蓋矽（MOSFET）、氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等多種功率元件，廣泛應用於 AI 資料中心、工業自動化、再生能源及電動車等領域。隨著 AI 電力需求的快速增長，英飛凌積極投入高效率電源管理和高功率密度解決方案的開發，成為全球 AI 電源供應鏈中的重要角色。
去年，英飛凌宣布與台達共同開發 AI 資料中心高功率密度垂直供電（VPD）模組，結合英飛凌 OptiMO MOSFET 晶片與嵌入式封裝技術，以及台達在電源模組設計與製造的專業能力，打造高效能、高功率密度的電源解決方案。雙方表示將繼續合作，開發可支援未來 MW 等級 AI 機櫃的新一代供電架構。
值得一提的是，台達近年來不斷布局 SST 技術。台達總裁張訓海在今年的 GTC 2026 大會上表示，公司早在過去便投入 SST 研發，除了積極推動 800V 電源架構外，SST 預計最遲將於 2027 年迎來市場爆發。這意味著台達在下一代 AI 電力基礎設施的布局已初具規模。
從產業面來看，台達電與英飛凌的合作不僅僅是技術上的互補，更是為了搶占未來 AI 資料中心電力市場的先機。碳化矽（SiC）作為核心技術，將成為雙方共同突破高壓直流及固態變壓器市場的關鍵。
市場普遍認為，如果雙方的合作進一步深化至碳化矽（SiC）領域，將有助於台達在 SST 與下一代 AI 電力基礎設施所需的關鍵功率元件上取得更大突破。這將為台達帶來更多商業機會，同時也有助於全球 AI 資料中心的高效運行。
一句話結論
台達電與英飛凌的合作，將加速碳化矽（SiC）技術在 800V HVDC 及 SST 領域的應用，為未來 AI 資料中心的高效運行奠定堅實基礎。
如果你對 AI 資料中心的電力基礎設施有興趣，不妨關注台達電與英飛凌的最新動態，了解他們如何通過技術創新，推動行業的發展。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
台達電與英飛凌合作的主要目標是什麼？
台達電與英飛凌合作的主要目標是共同研發碳化矽（SiC）功率元件，應用於 800V 高壓直流（HVDC）及固態變壓器（SST），以支持未來 AI 資料中心的高效運行。
碳化矽（SiC）有哪些優點？
碳化矽（SiC）具有耐高壓、高效率及低損耗等優點，能有效提升中高壓電力轉換效率。
台達電在 SST 技術上的布局如何？
台達電早已投入 SST 技術研發，預計最遲於 2027 年迎來市場爆發，並積極推動 800V 電源架構。
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