根據外資摩根士丹利（Morgan Stanley）的最新大中華區半導體產業報告指出，儘管近期市場對記憶體週期、雲端服務供應商自由現金流及中國市場記憶體拋售潮的擔憂，導致成熟記憶體族群股價下修，但 DDR4 與傳統快閃記憶體在第三季的價格漲勢不僅未減緩，反而展現出前所未有的定價能力。
第三季記憶體價格預期大幅上漲
研調機構 TrendForce 原先預估，常規 DRAM 混合價格季增率約落在 13-18%，NAND 價格則預估季增 10-15%。然而，報告指出，雲端服務供應商（CSP）展現出為 DDR4 支付更高價格的意願，甚至試圖與供應商簽署為期一到兩年的保障數量長約（LTA）。受此帶動，大摩預估 DDR4 價格在第三季有望達成每月 20% 以上的漲幅，這意味著第三季整季的價格季增率將至少達到 30%。
除了 DRAM，傳統 NAND 與 NOR Flash 的表現同樣亮眼。大摩預期，第三季 SLC/MLC NAND 的價格將大幅季增 50-60%，而 NOR Flash 的價格也將迎接 30-40% 的季增長。
中國記憶體大廠警告價格下滑
近期中國記憶體大廠兆易創新（GigaDevice）曾發布公告警告，利基型記憶體產品未來可能面臨大幅價格下滑。對此，大摩分析師解讀，這較可能屬於「長期趨勢」的預警，而非短期內會發生的現象。報告強調，目前在 DDR4、SLC/MLC NAND 以及 NOR Flash 領域，依然存在著結構性的供應缺口，這些缺口將持續支撐記憶體價格強勁上揚。
成熟記憶體股估值具下檔支撐
在投資價值方面，大摩認為相關公司的 2028 年預估每股淨值（BVPS）已提供良好的下檔支撐。以中國 IC 設計廠兆易創新為例，其股價自 6 月 29 日的高峰美股人民幣 840 元，大幅修正了 45.6%，已浮現估值支撐。此外，台灣記憶體製造廠（IDM）如旺宏、南亞科與華邦電，目前股價約落在 2028 年預估每股淨值的 1.5 倍、1.2 倍與 1.2 倍。
大摩指出，回顧歷史經驗，大中華區 IDM 廠的股價淨值比在 1.0 倍左右時，通常具有極強的下檔防禦力道。總結來說，成熟記憶體雖面臨市場短期雜音，但在合約需求與缺口支撐下，基本面與價格走勢依然強勁。
從產業面來看，尽管市場短期擔憂不斷，但结构性供應缺口的存在，使得記憶體價格得以維持高位。對於投資者而言，這是一個值得關注的機會。然而，長期趨勢仍需謹慎觀察，特別是在中國市場的影響下，記憶體產業的未來仍有變數。
展望與影響
展望未來，記憶體產業的價格走勢將繼續受到供需平衡的影響。雲端服務供應商的需求增加，加上結構性供應缺口的支撐，預計將進一步推升記憶體價格。投資者應密切關注市場動態，並考慮在估值合理的時機進行佈局。
此外，面對中國市場的潛在影響，相關企業需要靈活調整策略，以應對可能的市場波動。建議投資者在關注短期績效的同時，也要留意長期趨勢，以便做出更明智的投資決策。
如果您對記憶體產業的未來發展有興趣，不妨進一步研究相關公司的財報和市場報告，以便更好地把握投資機會。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
什麼因素導致記憶體價格上漲？
主要因素包括雲端服務供應商的需求增加、結構性供應缺口以及中國市場的影響。
大摩如何看待中國記憶體大廠兆易創新的警告？
大摩認為這較可能是長期趨勢的預警，而非短期內會發生的現象。
哪些記憶體製造商的股價具有下檔支撐？
中國 IC 設計廠兆易創新、台灣記憶體製造廠旺宏、南亞科與華邦電的股價均具有下檔支撐。
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