TrendForce 最新研究指出，2027 年記憶體市況將呈現 DRAM 供給吃緊、NAND Flash 轉趨寬鬆的局面。AI 應用的快速發展將繼續主導記憶體需求，DRAM 供應因 HBM 的產能排擠和 AI 伺服器需求強勁，維持供給緊張格局，價格走勢偏強。而 NAND Flash 則因新產能集中釋放和終端消費需求走弱，供給將趨寬鬆，價格恐面臨修正壓力。

DRAM 供給持續吃緊

TrendForce 表示，為了因應 AI 基礎建設擴張的中長期需求，各大 DRAM 原廠已提前啟動產能擴充計畫。短期內，供應商積極提高既有廠區產能，同時加速製程升級、降低產品轉換頻率，以支撐 2026 年整體位元供給擴張。2027 年儘管有多家供應商規劃新產能陸續投產，但受限於廠時程、設備移機、原物料等前置作業約束，大多數新廠投片放量落於 2027 年下半年，大幅產出貢獻則於 2028 年發酵。

此外，HBM 製造所需晶圓投入遠高於一般型 DRAM，導致新增投片量無法等比例轉換為有效位元產出。這些因素將限制 2027 年整體 DRAM 位元供給成長幅度，市場供應能力持續緊縮。

NAND Flash 供給轉趨寬鬆

2026 年 NAND Flash 原廠主要通過製程升級增加位元供給，由於 AI 伺服器、高容量企業級 SSD 需求旺盛，供應商持續提高供給比重，以避免消費端需求平淡可能造成的獲利風險。2027 年各大廠加速轉進至高層數產品與新廠產能逐步釋放，位元供給成長幅度將超越 2026 年，市場產出規模明顯擴張。

需求面，伺服器部署需求穩健，CSP 與企業客戶對高速大容量企業級 SSD 的採購力道強勁，以 QLC SSD 最甚，將成為支撐 2027 年 NAND Flash 位元需求增長的主力。消費性電子則因終端售價陸續上調，預估買氣仍受壓抑。

背景補充

從需求面觀察，受惠北美雲端服務供應商（CSP）持續提高資本支出，英特爾、AMD 新世代 CPU 平台加速出貨，以及代理 AI 逐步商業化，2027 年全球伺服器出貨量年增幅度將較 2026 年 17% 擴大。加上單機 HBM 搭載容量成長、SOCAMM 等新規格導入，拉升單機記憶體容量，有助 2027 年 DRAM 需求位元成長維持高檔。

反觀智慧手機、筆電等消費型終端，因品牌廠轉嫁零組件成本效應加深，導致整機售價上調、衝擊消費者換機意願，2027 年出貨表現將維持衰退。

從產業面來看，2027 年記憶體市況分化將對不同廠商帶來不同的挑戰和機會。DRAM 供給吃緊意味著價格維持高位，有利於供應商，但對下游廠商的成本控制是一大考驗。NAND Flash 供給寬鬆則可能促使價格下調，有助於消費端需求恢復，但也可能影響供應商的利潤空間。建議相關企業密切關注市場動態，靈活調整策略。

2027 年在產能陸續開出、消費性電子需求仍偏弱的情況下，市場供需將迎來結構性反轉。TrendForce 已先提出 2027 年 sufficiency ratio 將轉為正值的看法，供需格局將轉為寬鬆。然而，若代理 AI 普及取得突破性進展，能再拉抬高速 SSD 需求，使整體供需趨近平衡。

以上情況是否會影響 2027 年 CSP 資本支出的規劃乃至於記憶體購入，仍待觀察。2026 年 DRAM 供應與需求位元的差距（sufficiency ratio）落在 -1%~ -2%，2027 年由於需求增速超越供給成長，供需缺口將進一步擴大。

行動呼籲

面對 2027 年記憶體市況的分化，相關企業需要提前做好準備。如果你是記憶體供應商，可以考慮加大對 HBM 投入，提高產能；如果你是下游廠商，則需密切關注市場價格動態，靈活調整採購策略。無論你是哪一方，都要保持對市場的敏感度，以便在變幻莫測的市場中占得先機。

本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。

常見問題 FAQ

2027 年 DRAM 市場供給為何會持續吃緊？

2027 年 DRAM 市場供給持續吃緊主要是因為 HBM 的產能排擠和 AI 伺服器需求強勁，供應商的新產能投放速度無法滿足需求增長。

2027 年 NAND Flash 供給為何會轉趨寬鬆？

2027 年 NAND Flash 供給轉趨寬鬆的原因是新產能集中釋放和終端消費需求走弱，供給增幅將超過需求。

2027 年記憶體價格走勢如何？

2027 年 DRAM 價格走勢偏強，而 NAND Flash 價格可能面臨修正壓力。

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