記憶體市場在下半年持續受到 AI 需求的推動，但 DRAM 與 Flash 的漲價節奏卻呈現明顯分歧。業界普遍認為，DRAM 供給缺口仍未改善，下半年合約價預期仍有雙位數漲幅，特別是 DDR4 在第三季的漲勢有望超過三成；相較之下，NAND Flash 虽然需求依然堅挺，但價格漲幅已逐漸步入高原期，第三季預估漲幅約一成多。
DRAM 漲勢持續，DDR4 成為焦點
市場原先預期第三季 DRAM 合約價約季增 13% 至 18%，但 DDR4 的供需情況比預期更加緊張。企業與工控市場仍大量使用 DDR4，且因 DDR5 價格偏高，許多中低階 PC 或成本敏感的應用仍偏好選擇 DDR4，這使得 Consumer DDR4 平台的生命週期比預期更長。
CSP 業者為了確保供貨穩定，願意接受更高價格，並積極洽談 1 至 2 年的長期供貨合約，進一步推升 DDR4 在第三季的價格。此外，高階產品如 HBM、DDR5 及 LPDDR5X 的生產持續排擠成熟 DRAM 產能，導致 DDR4 供給缺口短期難以彌補。
NAND Flash 進入高原期，漲幅收斂
產業人士指出，AI 伺服器、企業級儲存及邊緣 AI 等新應用仍持續推升 NAND Flash 的需求，整體基本面並未轉弱。成熟型 Flash 包括 SLC/MLC NAND 及 NOR Flash 仍受惠於供給缺口，價格維持上漲趨勢。然而，若觀察整體 NAND 市場，包含 3D NAND、Client SSD 及 Enterprise SSD 等產品，漲幅已較 DRAM 明顯收斂。
有業者預期，第三季 NAND Flash 的平均漲幅約一成多，第四季可能進一步放緩，價格逐漸進入高原整理階段。相較於 DRAM，Flash 的供給彈性較高，因此價格走勢更為平穩。
相關業者表現
在這波記憶體漲勢中，台股相關業者包括南亞科、華邦電、旺宏、群聯，以及威剛、創見、宇瞻、十銓、宜鼎等，都有望受益。特別是那些在 DDR4 產能上有優勢的企業，將在第三季獲利增長中佔據有利位置。
從產業面來看，DRAM 漲勢的持續將對相關業者的營收帶來顯著提升，尤其是那些在 DDR4 產能上有優勢的企業。然而，NAND Flash 價格進入高原期，意味著其漲幅將逐漸放緩，業者需調整策略以應對未來的市場變化。
展望與影響
展望未來，記憶體市場仍將維持 DRAM 強於 Flash 的格局。高階產品如 HBM、DDR5 及 LPDDR5X 的需求持續增長，將進一步壓縮成熟 DRAM 的產能，使得 DDR4 的供給缺口短期內難以填補。對於相關業者而言，把握這一波漲勢，積極拓展高階市場，將是提升競爭力的關鍵。
在此背景下，建議投資者關注那些在 DDR4 產能上有優勢的企業，以及在高階記憶體產品上有技術突破的公司。同時，密切關注市場動態，以應對可能的價格變動。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
DRAM 和 Flash 的主要差異是什麼？
DRAM（動態隨機存取記憶體）主要用於主記憶體，速度快但成本較高；Flash（快閃記憶體）則用於儲存設備，速度較慢但容量大且成本低。
為什麼 DDR4 的價格在第三季會大幅上漲？
DDR4 的價格在第三季大幅上漲主要是因為企業與工控市場仍大量使用 DDR4，且因 DDR5 價格偏高，許多中低階 PC 或成本敏感的應用仍偏好選擇 DDR4，這使得 DDR4 供需情況比預期更加緊張。
NAND Flash 的價格為何進入高原期？
NAND Flash 的價格進入高原期主要是因為其供給彈性較高，且在 AI 伺服器、企業級儲存及邊緣 AI 等新應用的需求推動下，漲幅已逐漸放緩，預期第三季的平均漲幅約一成多。
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