在全球半導體技術封鎖的背景下，中國設備自製化邁出了關鍵一步。根據外媒 The Information 報導，一家未具名的中國國家支持企業已經成功製造出深紫外光微影設備（DUV）。8 月份，中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）正式進入中國半導體業者的優先採購名單，將獲得首批國產的 DUV 設備。
國產 DUV 的技術突破
該中國企業所製造的是 28 奈米 DUV，儘管有部分關鍵零組件仍需仰賴自日本進口，但絕大多數零件已成功實現國產化。在產能規劃方面，該企業計劃在 2026 年生產 5 台 DUV 設備，並於 2027 年將產能提升至 20 台。
這一技術突破對於中國半導體產業具有重要意義。長鑫存儲與中芯國際（SMIC）、華虹半導體等中國晶圓代工大廠並列，成為首批獲得此批國產設備的企業。此舉凸顯了北京當局對這些半導體核心實體的高度重視，同時也有效反制了美國意圖阻止中國企業購買或維修西方 DUV 設備的 MATCH 法案。
長鑫存儲的激進擴張策略
長鑫存儲近期的 IPO 引發投資人的空前狂熱，交易首日收盤時，其股價漲幅竟高達近 500%。公司計劃利用這筆龐大的新資金進行激進的產能擴張，目標在 2026 年年底前，將現有每月約 20 萬片晶圓的產能，大幅拉升至每月 30 萬片。
此外，長鑫存儲目前正同步在上海與合肥兩地建設兩座全新的晶圓廠，未來完工後，其總產能將倍增至每月 60 萬片晶圓的驚人規模。業界預期，若能維持此等擴張力道與速度，長鑫存儲有望在 2030 年於量產規模上正式超越全球記憶體巨擘美光（Micron）。
技術路徑的創新與挑戰
在製程技術上，長鑫存儲已在 G5 製程節點上成功量產 1a DRAM。然而，面對無法取得最先進極紫外光（EUV）設備的困境，長鑫存储選擇改變技術路徑，放棄單純追求縮小水平節點的傳統做法，將研發重押於下一代的 3D DRAM 技術。
透過將記憶體單元進行垂直堆疊，公司能在不微縮水平節點的情況下，最大化原始位元密度與整體儲存容量。在具體技術實作上，長鑫存儲利用氟化氬（ArF）浸潤式 DUV 系統蝕刻多個水平特徵層，並透過混合鍵合技術將其垂直堆疊。
從產業面來看，長鑫存儲的 3D DRAM 技術創新不僅能有效突破西方技術封鎖，還可能為中國半導體產業帶來新的競爭優勢。然而，這一技術路徑的成功仍需克服製程變異與邊緣放置誤差（EPE）等挑戰，需要長期的技術積累和市場驗證。
全球半導體產業的反應
就在中國國產 DUV 量產的消息一出，全球半導體設備龍頭艾司摩爾（ASML）於 7 月 28 日在美股市場遭遇沉重賣壓，盤中股價跌幅一度深達 8.2%。然而，市場分析師指出，投資人對於此項競爭消息的恐慌似乎有過度放大之嫌。
數據顯示，DUV 占 ASML 總營收的比例已從 2024 年的 44% 下降至上一季的 29%；對中國市場的銷售佔比更從 2024 年的 41% 驟降至上一季的僅 14%，且此下滑趨勢預期將持續。受惠於全球 AI 熱潮的帶動，中國以外地區對各類晶片與 DUV 設備的需求正大幅飆升。
ASML 目前每年即具備生產 130 台 DUV 設備的龐大產能，為因應強勁需求，管理層更計劃在 2027 年將產能提升 30%，並於 2028 年再進一步增加 30%。相較於中國新興企業 2026 年預計生產 5 台、2027 年目標 20 台的有限產出，這家新興的中國對手在未來的幾年內，在產能與技術上仍難以對 ASML 構成實質威脅。
行動呼籲
長鑫存儲的崛起不僅反映了中國半導體產業的雄心壯志，也展示了其在技術和市場上的創新能力。面對全球半導體產業的激烈競爭，你認為中國半導體企業未來的發展前景如何？歡迎在評論區分享你的看法，並關注我們的後續報導，共同見證這一產業的變革。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
長鑫存儲的 IPO 表現如何？
長鑫存儲的 IPO 引發投資人的空前狂熱，交易首日收盤時，其股價漲幅竟高達近 500%。
中國國產 DUV 設備的產能規劃是什麼？
該中國企業計劃在 2026 年生產 5 台 DUV 設備，並於 2027 年將產能提升至 20 台。
長鑫存儲的 3D DRAM 技術有哪些創新？
長鑫存儲的 3D DRAM 技術通過將記憶體單元進行垂直堆疊，利用氟化氬（ArF）浸潤式 DUV 系統蝕刻多個水平特徵層，並透過混合鍵合技術將其垂直堆疊。
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